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重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

Test mothod for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance

国家标准 推荐性 现行

国家标准《重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位 宁波立立电子股份有限公司 、信息产业部专用材料质量监督检验中心 。

主要起草人 李慎重 、何良恩 、许峰 、刘培东 、何秀坤 。

目录

1标准状态

  • 发布于2011-01-10
  • 执行于2011-10-01
  • 废止于

2基础信息

标准号
GB/T 14847-2010
发布日期
2011-01-10
实施日期
2011-10-01
全部代替标准
GB/T 14847-1993
中国标准分类号
H80
国际标准分类号
29.045
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门
国家标准化管理委员会

3起草单位

4起草人

李慎重 何良恩 何秀坤 许峰 刘培东

5相近标准（计划）

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