硅外延层电阻率的面接触三探针方法
行业标准《硅外延层电阻率的面接触三探针方法》，主管部门为电子工业部。
目录
1标准状态
- 发布于1994-10-01
- 执行于1994-04-11
- 废止于
2基础信息
- 标准号
- SJ/T 10481-1994
- 发布日期
- 1994-04-11
- 实施日期
- 1994-10-01
- 主管部门
- 电子工业部
- 行业分类
- 无
3备案信息
备案号：0062-1994。
4相近标准（计划）
GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法- 20091194-T-450 粉尘层电阻率测定方法
- GB/T 16427-1996 粉尘层电阻率测定方法
- GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
- GB/T 14142-2017 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
- GB/T 26074-2010 锗单晶电阻率直流四探针测量方法
- 20162492-T-469 硅外延片
- GB/T 14139-2009 硅外延片
- YS/T 15-2015 硅外延层和扩散层厚度测定 磨角染色法
- YS/T 23-2016 硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法
