硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon—Etching technique
国家标准《硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
主要起草单位 南京国盛电子有研公司 、有研半导体材料有限公司 、浙江金瑞泓科技股份有限公司 。
主要起草人 马林宝 、骆红 、杨帆 、刘小青 、陈赫 、张海英 。
目录
1标准状态
- 发布于2017-09-29
- 执行于2018-04-01
- 废止于
2基础信息
- 标准号
- GB/T 14142-2017
- 发布日期
- 2017-09-29
- 实施日期
- 2018-04-01
- 全部代替标准
- GB/T 14142-1993
- 中国标准分类号
- H25
- 国际标准分类号
- 77.040
- 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
南京国盛电子有研公司