硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method
国家标准《硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
主要起草单位 南京国盛电子有限公司 、宁波立立电子股份有限公司 、信息产业部专用材料质量监督检验中心 。
主要起草人 马林宝 、唐有青 、刘培东 、李静 、金龙 、吕立平 。
目录
1标准状态
- 发布于2009-10-30
- 执行于2010-06-01
- 废止于
2基础信息
- 标准号
- GB/T 14146-2009
- 发布日期
- 2009-10-30
- 实施日期
- 2010-06-01
- 全部代替标准
- GB/T 14146-1993
- 中国标准分类号
- H80
- 国际标准分类号
- 29.045
- 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
3起草单位
4起草人
5相近标准（计划）
GB/T 11068-2006 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法- SJ/T 10481-1994 硅外延层电阻率的面接触三探针方法
- YS/T 15-2015 硅外延层和扩散层厚度测定 磨角染色法
- YS/T 23-2016 硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法
- 20162492-T-469 硅外延片
- GB/T 14139-2009 硅外延片
- GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
- GB/T 14142-2017 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
- 20151534-T-469 氮化镓衬底片载流子浓度的测试 拉曼光谱法
- GB/T 8757-2006 砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法
