微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法
Micro-electromechanical system technology—Measuring method for residual strain measurements of MEMS microstructures using an optical interferometer
国家标准《微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法》由TC336（全国微机电技术标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
主要起草单位 天津大学 、中机生产力促进中心 、国家仪器仪表元器件质量监督检验中心 、南京理工大学 、中国电子科技集团公司第十三研究所 。
主要起草人 郭彤 、胡晓东 、李海斌 、于振毅 、裘安萍 、程红兵 、崔波 、朱悦 。
目录
1标准状态
- 发布于2017-11-01
- 执行于2018-05-01
- 废止于
2基础信息
- 标准号
- GB/T 34900-2017
- 发布日期
- 2017-11-01
- 实施日期
- 2018-05-01
- 中国标准分类号
- L55
- 国际标准分类号
- 31.200
- 归口单位
- 全国微机电技术标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国微机电技术标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
3起草单位
4起草人
5相近标准（计划）
GB/T 34894-2017 微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构应变梯度测量方法- GB/T 34893-2017 微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构面内长度测量方法
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