低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法
行业标准《低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法》由全国半导体设备和材料标准化技术委员会归口上报，主管部门为工业和信息化部。
主要起草单位 信息产业专用材料质量监督检验中心 、工业和信息化部电子工业标准化研究院 、苏州晶瑞化学有限公司等 。
主要起草人 章安辉 、何秀坤 、刘兵等 。
目录
1标准状态
- 发布于2015-10-01
- 执行于2015-04-30
- 废止于
2基础信息
- 标准号
- SJ/T 11489-2015
- 发布日期
- 2015-04-30
- 实施日期
- 2015-10-01
- 中国标准分类号
- H83
- 国际标准分类号
- 29.045
- 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 工业和信息化部
- 行业分类
- 无
3备案信息
备案号：50546-2015。
备案公告： 2015年第7号 。
4起草单位
5起草人
6相近标准（计划）
SJ/T 11490-2015 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法- GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
- GB/T 33763-2017 蓝宝石单晶位错密度测量方法
- GB/T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法
- 20151794-T-469 硅单晶抛光片
- GB/T 12964-2003 硅单晶抛光片
- YS/T 25-1992 硅抛光片表面清洗方法
- 20065635-T-469 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法
- GB/T 11297.6-1989 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法
- GB/T 5252-2006 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
