低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices
国家标准《低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
主要起草单位 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 、中科院半导体研究所 。
主要起草人 惠峰 、普世坤 、董汝昆 。
目录
1标准状态
- 发布于2017-10-14
- 执行于2018-07-01
- 废止于
2基础信息
- 标准号
- GB/T 34481-2017
- 发布日期
- 2017-10-14
- 实施日期
- 2018-07-01
- 中国标准分类号
- H25
- 国际标准分类号
- 77.040
- 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
3起草单位
4起草人
5相近标准（计划）
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