LED外延芯片用砷化镓衬底
GaAs substrates for LED epitaxial chips
国家标准《LED外延芯片用砷化镓衬底》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
主要起草单位 中国科学院半导体研究所 、有研光电新材料有限公司 、云南中科鑫圆晶体材料有限公司 。
主要起草人 赵有文 、提刘旺 、林泉 、于洪国 、惠峰 、赵坚强 。
目录
1标准状态
- 发布于2014-07-24
- 执行于2015-04-01
- 废止于
2基础信息
- 标准号
- GB/T 30856-2014
- 发布日期
- 2014-07-24
- 实施日期
- 2015-04-01
- 中国标准分类号
- H83
- 国际标准分类号
- 29.045
- 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
3起草单位
4起草人
5相近标准（计划）
GB/T 30855-2014 LED外延芯片用磷化镓衬底- 20110049-T-469 氮化镓外延片及衬底片通用规范
- GB/T 8758-2006 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法
- DB35/T 1403-2013 照明用多芯片集成封装LED筒灯
- SJ/T 11486-2015 小功率LED芯片技术规范
- GB/T 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片
- GB/T 11068-2006 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法
- GB/T 20228-2006 砷化镓单晶
- GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
- GB/T 30655-2014 氮化物LED外延片内量子效率测试方法
