硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers
国家标准《硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
主要起草单位 峨嵋半导体材料厂 。
主要起草人 何兰英 、王炎 、张辉坚 、刘阳 。
目录
1标准状态
- 发布于2009-10-30
- 执行于2010-06-01
- 废止于
2基础信息
- 标准号
- GB/T 4058-2009
- 发布日期
- 2009-10-30
- 实施日期
- 2010-06-01
- 全部代替标准
- GB/T 4058-1995
- 中国标准分类号
- H80
- 国际标准分类号
- 29.045
- 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
峨嵋半导体材料厂