半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范
Semiconductor devices--Discrete devices--Part6:Thyristors--Section Two:Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs)，ambient or case-rated，up to 100A
国家标准《半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为工业和信息化部（电子）。
主要起草单位 电子工业部标准化研究所 。
目录
1标准状态
- 发布于1998-11-17
- 执行于1999-06-01
- 废止于
2基础信息
- 标准号
- GB/T 6590-1998
- 发布日期
- 1998-11-17
- 实施日期
- 1999-06-01
- 全部代替标准
- GB 6590-1986
- 中国标准分类号
- L43
- 国际标准分类号
- 31.080.20
- 归口单位
- 全国半导体器件标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体器件标准化技术委员会
- 主管部门
- 工业和信息化部（电子）
3起草单位
4起草人
5相近标准（计划）
GB/T 13150-2005 半导体器件 分立器件 电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范- GB/T 6352-1998 半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范
- GB/T 13151-2005 半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第3篇 电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范
- 20061346-T-339 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
- GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
- GB/T 7576-1998 半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范
- GB/T 6217-1998 半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第一篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范
- SJ/T 1826-2016 半导体分立器件 3DK100型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范
- GB/T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范
- GB/T 6351-1998 半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范
