半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第3篇 电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范
Semiconductor devices Discrete devices Part 6:Thyristors Section Three-Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient and case-rated,for currents greater than 100A
国家标准《半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第3篇 电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为工业和信息化部（电子）。
目录
1标准状态
- 发布于2005-03-23
- 执行于2005-10-01
- 废止于
2基础信息
- 标准号
- GB/T 13151-2005
- 发布日期
- 2005-03-23
- 实施日期
- 2005-10-01
- 全部代替标准
- GB/T 13151-1991
- 中国标准分类号
- K46
- 国际标准分类号
- 31.080.20
- 归口单位
- 全国半导体器件标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体器件标准化技术委员会
- 主管部门
- 工业和信息化部（电子）
3起草单位
4起草人
5相近标准（计划）
GB/T 13150-2005 半导体器件 分立器件 电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范- GB/T 6352-1998 半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范
- GB/T 6590-1998 半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范
- JB 5838-1991 KP系列1000A以上管壳额定反向阻断三极晶闸管
- JB 5839-1991 KH系列200A以上管壳额定反向阻断三极高压晶闸管
- JB/T 7626-2013 反向阻断三极晶闸管测试方法
- GB/T 6351-1998 半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范
- JB/T 7628-1994 KN系列100A/60A至400A/400A管壳额定逆导三极晶闸管详细规范
- JB/T 10097-2000 电力半导体器件用管壳
- GB/T 12560-1999 半导体器件 分立器件分规范
