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半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管

Semiconductor devices-Discrete devices Part 8:Field-effect transistors

国家标准计划 修订 推荐性

国家标准计划《半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管》由TC78(全国半导体器件标准化技术委员会)归口上报,TC78SC1(全国半导体器件标准化技术委员会半导体分立器件分会)执行,主管部门为工业和信息化部(电子)。

主要起草单位 中国电子技术标准化研究院济南市半导体元件实验所西安卫光科技有限公司(国营第八七七厂)

主要起草人 张秋卞岩王嘉蓉侯秀萍

目录

1项目进度

  • 网上公示
  • 起草
  • 征求意见
  • 审查
  • 批准
  • 发布

2基础信息

计划号
20061346-T-339
制修订
修订
项目周期
36个月
下达日期
2005-12-30
全部代替标准
GB/T 4586-1994
中国标准分类号
L40
国际标准分类号
31.080.30
归口单位
全国半导体器件标准化技术委员会
执行单位
全国半导体器件标准化技术委员会半导体分立器件分会
主管部门
工业和信息化部(电子)

3起草单位

4采标情况

本标准等同采用IEC国际标准:IEC60747-8:2010。

采标中文名称:半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管。

5投票情况

投票日期
2018-02-05~2018-03-15
通过率
88.57%

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