Polycrystalline silicon-examination method-Zone-melting on phosphorus under controlled atmosphere
国家标准计划《硅多晶气氛区熔基磷检验方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准化管理委员会。
主要起草单位 峨嵋半导体材料研究所 。
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