碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers
国家标准《碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
主要起草单位 中国电子科技集团公司第四十六研究所 、中国电子技术标准化研究院 。
主要起草人 丁丽 、周智慧 、郝建民 、蔺娴等 。
目录
1标准状态
- 发布于2014-07-24
- 执行于2015-02-01
- 废止于
2基础信息
- 标准号
- GB/T 30867-2014
- 发布日期
- 2014-07-24
- 实施日期
- 2015-02-01
- 中国标准分类号
- H83
- 国际标准分类号
- 29.045
- 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
3起草单位
4起草人
5相近标准（计划）
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