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低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法

Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities

国家标准 推荐性 现行

国家标准《低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报及执行,主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位 四川新光硅业科技有限责任公司

主要起草人 梁洪过惠芬吴道荣

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