硅片表面金属元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
Test method for surface metal contamination on silicon wafers by using inductively coupled plasma mass spectrometry
国家标准计划《硅片表面金属元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
主要起草单位 南京国盛电子有限公司 、有研半导体材料有限公司 。
目录
1项目进度
- 网上公示
- 起草
- 征求意见
- 审查
- 批准
- 发布
2基础信息
- 计划号
- 20173545-T-469
- 制修订
- 制订
- 项目周期
- 24个月
- 下达日期
- 2018-01-09
- 国际标准分类号
- 77.040
- 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
3起草单位
4相近标准（计划）
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