半导体激光二极管空白详细规范
国家标准计划《半导体激光二极管空白详细规范》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为工业和信息化部（电子）。
1项目进度
- 网上公示
- 起草
- 征求意见
- 审查
- 批准
- 终止
- 发布
2基础信息
- 计划号
- 20064484-T-339
- 制修订
- 修订
- 项目周期
- 36个月
- 下达日期
- 2005-12-30
- 全部代替标准
- GB/T 15649-1995
- 归口单位
- 全国半导体器件标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体器件标准化技术委员会
- 主管部门
- 工业和信息化部（电子）
3相近标准（计划）
GB/T 15649-1995 半导体激光二极管空白详细规范- SJ/T 2749-2016 半导体激光二极管测试方法
- YD/T 0834-1996 分布反馈激光二极管检测方法
- GB/T 6588-2000 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范
- GB/T 6589-2002 半导体器件 分立器件 第3-2部分:信号(包括开关)和调整二极管 电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管) 空白详细规范
- 20130005-T-339 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范
- 20130006-T-339 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范
- 20130007-T-339 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范
- SJ/T 11393-2009 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范
- SJ/T 11397-2009 半导体发光二极管用萤光粉
