高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
Test method for measuring the Al fraction in AlGaAs on GaAs substrates by high resolution X-ray diffraction
国家标准《高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
主要起草单位 信息产业部专用材料质量监督检验中心 、中国电子科技集团公司第四十六研究所 。
主要起草人 章安辉 、黄庆涛 、何秀坤 。
目录
1标准状态
- 发布于2009-10-30
- 执行于2010-06-01
- 废止于
2基础信息
- 标准号
- GB/T 24576-2009
- 发布日期
- 2009-10-30
- 实施日期
- 2010-06-01
- 中国标准分类号
- H80
- 国际标准分类号
- 29.045
- 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
3起草单位
4起草人
5相近标准（计划）
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